AN EVALUATION OF SI AND SIGE BASE BIPOLAR-TRANSISTORS FOR HIGH-FREQUENCY AND HIGH-SPEED APPLICATIONS - BASIC TRANSPORT AND DESIGN

被引：2

作者：

HINCKLEY, JM

SANKARAN, V

SINGH, J

TIWARI, S

机构：

来源：

PROCEEDINGS : IEEE/CORNELL CONFERENCE ON ADVANCED CONCEPTS IN HIGH SPEED SEMICONDUCTOR DEVICES AND CIRCUITS | 1989年

关键词：

D O I：

10.1109/CORNEL.1989.79829

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：141 / 149

页数：9