FANO PROFILES OF ABSORPTION-LINES FROM THE LOCALIZED VIBRATIONAL-MODES OF BE ACCEPTORS IN GAAS AND B-ACCEPTORS IN SILICON

被引：15

作者：

MURRAY, R

NEWMAN, RC

LEIGH, RS

BEALL, RB

HARRIS, JJ

BROZEL, MR

MOHADESKASSAI, A

GOULDING, M

机构：

来源：

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 1989年 / 4卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1088/0268-1242/4/6/001

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：423 / 426

页数：4

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