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NOISE MEASUREMENTS OF SILICON PLANAR MICROWAVE TRANSISTORS IN FREQUENCY RANGE 4-8 GHZ
被引:1
作者
:
KOTYCZKA, W
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KOTYCZKA, W
STRUTT, MJO
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0
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0
STRUTT, MJO
机构
:
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1970年
/ 6卷
/ 15期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19700335
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:478 / &
相关论文
共 3 条
[1]
NOISE-PARAMETER MEASUREMENTS OF MICROWAVE TRANSISTORS UP TO 2 4GHZ
BACHTOLD, W
论文数:
0
引用数:
0
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0
BACHTOLD, W
STRUTT, MJO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
STRUTT, MJO
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1967,
3
(07)
: 323
-
&
[2]
BACHTOLD W, 1967, ARCH ELEKTR UBERTRAG, V21, P631
[3]
1960, P I RADIO ENGRS, V48, P60
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共 3 条
[1]
NOISE-PARAMETER MEASUREMENTS OF MICROWAVE TRANSISTORS UP TO 2 4GHZ
BACHTOLD, W
论文数:
0
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0
h-index:
0
BACHTOLD, W
STRUTT, MJO
论文数:
0
引用数:
0
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STRUTT, MJO
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1967,
3
(07)
: 323
-
&
[2]
BACHTOLD W, 1967, ARCH ELEKTR UBERTRAG, V21, P631
[3]
1960, P I RADIO ENGRS, V48, P60
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