TRANSIENT IONIZING RADIATION EFFECTS IN MOS/LSI

被引：2

作者：

RAYMOND, JP

POCOCK, DN

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1971年 / NS18卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1971.4326445

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：288 / &

相关论文

共 4 条

[1]

LONG DM, 1966, IEEE T NUCL SCI, VNS13, P295

[2]

LONG DM, 1967, IEEE T NUCL SCI, VNS14, P210

[3]

RAYMOND J, 1965, IEEE T, VNS12, P457

[4]

1970, 126910M INT CORP SPE