BURIED OXIDE LAYERS FORMED BY LOW-DOSE SIMOX PROCESSES

被引：5

作者：

ASPAR, B

GUILHALMENC, C

PUDDA, C

GARCIA, A

PAPON, AM

AUBERTONHERVE, AJ

LAMURE, JM

机构：

[1] LETI (CEA-Technologies Avancées) DMEL - CEN/G -, F38054 Grenoble Cédex 9

[2] SOITEC SA, Site technologique ASTEC -, F38054 Grenoble Cédex 9

来源：

MICROELECTRONIC ENGINEERING | 1995年 / 28卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

10.1016/0167-9317(95)00086-N

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：411 / 414

页数：4

共 5 条

[1]

Aspar, Pudda, Papon, Auberton-Herve, Lamure, Proc. 6th Int. Symp. on SOI Tech. and Dev. Electrochem. Soc., Vol. 94–11, (1994)

[2]

Omura, Nakashima, Izumi, Ishii, 0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer, IEEE Transactions on Electron Devices, 40, (1993)

[3]

Kawamura, IEEE International SOI conference proceedings, (1993)

[4]

Yachou, Gautier, Raynaud, IEEE International SOI conference proceedings, (1993)

[5]

Garcia, Aspar, Margail, Pudda, IEEE International SOI conference proceedings, (1993)

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