A 1/F NOISE TECHNIQUE TO EXTRACT THE OXIDE TRAP DENSITY NEAR THE CONDUCTION-BAND EDGE OF SILICON

被引：343

作者：

JAYARAMAN, R ^{[1
]}

SODINI, CG ^{[1
]}

机构：

[1] MIT, DEPT ELECT ENGN & COMP SCI, CAMBRIDGE, MA 02139 USA

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1989年 / 36卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1109/16.34242

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：1773 / 1782

页数：10

相关论文

共 33 条

[31] SCANNING ELECTRON-MICROSCOPE MEASUREMENTS ON SHORT CHANNEL MOS-TRANSISTORS [J].

WILSON, CL .

SOLID-STATE ELECTRONICS, 1980, 23 (04) :345-&

[32] MODEL FOR 1-F NOISE IN MOS-TRANSISTORS BIASED IN THE LINEAR REGION [J].

VANDAMME, LKJ .

SOLID-STATE ELECTRONICS, 1980, 23 (04) :317-323

[33] SOME GENERAL RELATIONSHIPS FOR FLICKER NOISE IN MOSFETS [J].

VANDERZIEL, A .

SOLID-STATE ELECTRONICS, 1978, 21 (04) :623-624

← 1 2 3 4 →