TRANSISTOR-GRADE SILICON .1. THE PREPARATION OF ULTRAPURE SILICON TETRAIODIDE

被引：11

作者：

RUBIN, B

MOATES, GH

WEINER, JR

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2428440

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：656 / 660

页数：5

共 9 条

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