COSI2 MICROSTRUCTURES BY MEANS OF A HIGH-CURRENT FOCUSED ION-BEAM

被引:43
作者
BISCHOFF, L
TEICHERT, J
HESSE, E
PANKNIN, D
SKORUPA, W
机构
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1994年 / 12卷 / 06期
关键词
D O I
10.1116/1.587463
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
收藏
页码:3523 / 3527
页数:5
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共 11 条
[11]   MESOTAXY - SINGLE-CRYSTAL GROWTH OF BURIED COSI2 LAYERS [J].
WHITE, AE ;
SHORT, KT ;
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APPLIED PHYSICS LETTERS, 1987, 50 (02) :95-97