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EPITAXIAL-GROWTH OF HIGH-QUALITY ZNSE ON GAAS SUBSTRATE BY ATMOSPHERIC-PRESSURE MOVPE USING DIMETHYLZINC AND HYDROGEN SELENIDE
被引：21
作者：
YODO, T
OKA, H
KOYAMA, T
YAMASHITA, K
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1987年
/
26卷
/
05期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.26.L561
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L561 / L563
页数：3
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