OPTICAL PROPERTIES OF INASYSB1-Y LAYERS PREPARED BY THERMAL EVAPORATION

被引：6

作者：

POTTER, RF

KRETSCHMAR, GG

机构：

来源：

INFRARED PHYSICS | 1964年 / 4卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1016/0020-0891(64)90043-0

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

引用

页码：57 / &

共 10 条

[1]

BLAKEMORE JS, 1962, SEMICONDUCTOR STATIS

CARDONA, M .

PHYSICAL REVIEW, 1961, 121 (03) :752-&

[3] BAND STRUCTURE OF INDIUM ANTIMONIDE [J].

KANE, EO .

[4]

Moss TS., 1959, OPTICAL PROPERTIES S

[5]

Mott N., 1958, THEORY PROPERTIES ME

[6]

POTTER RF, 1961, J OPT SOC AM, V51, P693

SMITH, SD ;

MOSS, TS ;

TAYLOR, KW .

SPITZER, WG ;

FAN, HY .

PHYSICAL REVIEW, 1957, 106 (05) :882-890

[9]

WOOLEY JC, 1962, COMPOUND SEMICONDUCT, V1, pCH1

[10]

[No title captured]