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ANNEALING THE DI-CARBON RADIATION-DAMAGE CENTER IN SILICON
被引：8
作者：
DAVIES, G
KUN, KT
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/4/4/043
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：327 / 330
页数：4
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