CARBON DOPING EXCEEDING 1020CM-3 IN GAAS GROWN BY AP-MOVPE

被引：22

作者：

HANNA, MC ^{[1
]}

LU, ZH ^{[1
]}

MAO, EW ^{[1
]}

MCCORMICK, T ^{[1
]}

OH, EG ^{[1
]}

MAJERFELD, A ^{[1
]}

SZMYD, DM ^{[1
]}

机构：

[1] SOLAR ENERGY RES INST,GOLDEN,CO 80401

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(91)90471-G

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

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页数：2