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GROWTH OF GAAS INGOTS WITH HIGH FREE-ELECTRON CONCENTRATIONS
被引：28
作者：
GREENE, PD
机构：
关键词：
D O I：
10.1016/0022-0248(80)90004-4
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要：
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页数：7
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