IIIA-3 STUDY OF THE DEPENDENCE OF GA0.47IN0.53 AS/ALXIN1-XAS POWER HEMT BREAKDOWN VOLTAGE ON SCHOTTKY LAYER DESIGN AND DEVICE LAYOUT

被引：6

作者：

BROWN, JJ ^{[1
]}

BROWN, AS ^{[1
]}

ROSENBAUM, SE ^{[1
]}

SCHMITZ, AS ^{[1
]}

MATLOUBIAN, M ^{[1
]}

LARSON, LE ^{[1
]}

MELENDES, MA ^{[1
]}

THOMPSON, MA ^{[1
]}

机构：

[1] HUGHES RES LABS,MALIBU,CA 90265

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/16.239781

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

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页数：2