16K-CMOS-SOS ASYNCHRONOUS STATIC RAM

被引：5

作者：

DINGWALL, AGF

STEWART, RG

机构：

[1] RCA Solid State Technology Center, Somerville

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1979年 / 14卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1979.1051287

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

A new CMOS/SOS “buried-contact” process allows fabrication of dense static, memory cells. The technology is applied in a 16K RAM with 1150μm2(1.78 mil2) cells based on 5 μm design rules. © 1979, IEEE

引用

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页数：6

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共 6 条

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