LIFETIME LIMITATION OF HIGH-FIELD GAAS DEVICES

被引：5

作者：

HARTNAGEL, H ^{[1
]}

WEISS, BL ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV NEWCASTLE, DEPT ELECT & ELECTR ENGN, MERZ LABS, NEWCASTLE NE1 7RU, ENGLAND

来源：

PROCEEDINGS OF THE IEEE | 1973年 / 61卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1973.9283

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1369 / 1370

页数：2

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[4] SAZHIN MP, SOV PHYS SOLID STATE, V8, P1223
[5] WEISS BL, TO BE PUBLISHED