INHOMOGENEOUS CHANNEL RESISTIVITY FIELD EFFECT DEVICES

被引：9

作者：

DEMASSA, TA

GODDARD, DG

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(71)90022-0

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1107 / &

共 13 条

[1]

BOCKEMUEHL RR, 1963, IEEE T ELEC DEVICES, VED10, P31

[2]

COBBOLD RSC, 1965, IEEE T ELECTRON DEVI, VED12, P302

[3] UNIPOLAR FIELD-EFFECT TRANSISTOR [J].

DACEY, GC ;

ROSS, IM .

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS, 1953, 41 (08) :970-979

[4] THE FIELD EFFECT TRANSISTOR [J].

DACEY, GC ;

ROSS, IM .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1955, 34 (06) :1149-1189

[5]

GODDARD DG, 1970, DRIFT FIELD EFFECT T

[6]

HEIMAN FP, 1968, Patent No. 3411199

[7]

LINDHOLM FA, 1966, IEEE T ELECTRON DEVI, VED13, P819

[8]

LINDMAYER J, 1965, FUNDAMENTALS SEMICON, P261

[9]

MULLER R, 1969, Patent No. 3449645

[10]

NOYCE R, 1969, Patent No. 2869055