X-RAY TOPOGRAPHIC STUDIES ON LATTICE DISTORTIONS OF SINGLE CRYSTALS OF SILICON DUE TO SCRATCHING

被引：13

作者：

RENNINGE.M

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1107/S0021889872009136

中图分类号：

O6 [化学];

学科分类号：

0703 ;

摘要：

引用

页码：163 / &

共 10 条

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