DESIGN OF A HIGH-PERFORMANCE 1024-B SWITCHED CAPACITOR P-CHANNEL IGFET MEMORY CHIP

被引：12

作者：

BOLL, HJ ^{[1
]}

LYNCH, WT ^{[1
]}

机构：

[1] BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1973年 / SC 8卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1973.1050409

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：310 / 318

页数：9

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共 7 条

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