STOICHIOMETRY AND DOPING IN LARGE GAP COMPOUND SEMICONDUCTORS

被引：12

作者：

PFISTER, JC ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SCI & MED GRENOBLE,F-38041 GRENOBLE,FRANCE

来源：

REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUEE | 1980年 / 15卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1051/rphysap:01980001503070700

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：707 / 710

页数：4

共 9 条

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