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ATOMIC LAYER EPITAXY OF GAAS ON SI BY MOCVD
被引：6
作者：
KARAM, NH
HAVEN, VE
VERNON, SM
TRAN, JC
ELMASRY, NA
机构：
来源：
III-V HETEROSTRUCTURES FOR ELECTRONIC / PHOTONIC DEVICES
|
1989年
/
145卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-145-331
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要：
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页码：331 / 336
页数：6
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