COMMENTS ON SELFHEATING EFFECTS IN SILICON RESISTORS OPERATED AT CRYOGENIC AMBIENT-TEMPERATURES

被引：1

作者：

SZEKELY, V

机构：

[1] Technical University Budapest Department of Electron Devices

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(94)90019-1

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：515 / 516

页数：2

共 9 条

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