LOW-FIELD TUNNELLING CURRENT IN THIN-OXIDE MNOS MEMORY TRANSISTORS

被引：7

作者：

MAES, H ^{[1
]}

VANOVERS.R ^{[1
]}

机构：

[1] INST ELEKTROTECH,FYS & ELEKTR HALFGELEIDERS,HEVERLEE 3030,BELGIUM

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19730014

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：19 / 21

页数：3

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共 5 条

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