学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审
立即登录
HIGH-TRANSCONDUCTANCE ALLNAS/GAINAS HIFETS GROWN BY MOCVD
被引:18
作者
:
KAMADA, M
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KAMADA, M
KOBAYASHI, T
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KOBAYASHI, T
ISHIKAWA, H
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
ISHIKAWA, H
MORI, Y
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
MORI, Y
KANEKO, K
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KANEKO, K
KOJIMA, C
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KOJIMA, C
机构
:
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1987年
/ 23卷
/ 06期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19870216
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:297 / 298
页数:2
相关论文
共 3 条
[1]
HIROSE H, 1985, I PHYS C SER, V79, P529
[2]
MOCVD GROWTH OF SELECTIVELY DOPED ALLNAS/GALNAS HETEROSTRUCTURES AND ITS APPLICATION TO HIFETS (HETEROINTERFACE FETS)
KAMADA, M
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KAMADA, M
ISHIKAWA, H
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
ISHIKAWA, H
IKEDA, M
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
IKEDA, M
MORI, Y
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
MORI, Y
KOJIMA, C
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KOJIMA, C
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1986,
22
(21)
: 1147
-
1148
[3]
KAMADA M, 1986, GAAS RELATED COMPOUN
←
1
→
共 3 条
[1]
HIROSE H, 1985, I PHYS C SER, V79, P529
[2]
MOCVD GROWTH OF SELECTIVELY DOPED ALLNAS/GALNAS HETEROSTRUCTURES AND ITS APPLICATION TO HIFETS (HETEROINTERFACE FETS)
KAMADA, M
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KAMADA, M
ISHIKAWA, H
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
ISHIKAWA, H
IKEDA, M
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
IKEDA, M
MORI, Y
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
MORI, Y
KOJIMA, C
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KOJIMA, C
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1986,
22
(21)
: 1147
-
1148
[3]
KAMADA M, 1986, GAAS RELATED COMPOUN
←
1
→