HIGH-TRANSCONDUCTANCE ALLNAS/GAINAS HIFETS GROWN BY MOCVD

被引：18

作者：

KAMADA, M

KOBAYASHI, T

ISHIKAWA, H

MORI, Y

KANEKO, K

KOJIMA, C

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1987年 / 23卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19870216

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：297 / 298

页数：2

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共 3 条

[1] HIROSE H, 1985, I PHYS C SER, V79, P529
[2] MOCVD GROWTH OF SELECTIVELY DOPED ALLNAS/GALNAS HETEROSTRUCTURES AND ITS APPLICATION TO HIFETS (HETEROINTERFACE FETS)
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