HIGH-TRANSCONDUCTANCE ALLNAS/GAINAS HIFETS GROWN BY MOCVD

被引:18
作者
KAMADA, M
KOBAYASHI, T
ISHIKAWA, H
MORI, Y
KANEKO, K
KOJIMA, C
机构
关键词
D O I
10.1049/el:19870216
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:297 / 298
页数:2
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