MULTILEVEL POROUS SILICON FORMATION

被引：5

作者：

TSAO, SS

GUILINGER, TR

KELLY, MJ

CLEWS, PJ

机构：

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1989年 / 136卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2096691

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

收藏

页码：586 / 587

页数：2

相关论文

共 5 条

[1] NICKEL PLATING ON POROUS SILICON [J].

HERINO, R ;

JAN, P ;

BOMCHIL, G .

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1985, 132 (10) :2513-2514

[2] ANODIC DISSOLUTION OF SILICON IN HYDROFLUORIC ACID SOLUTIONS [J].

MEMMING, R ;

SCHWANDT, G .

SURFACE SCIENCE, 1966, 4 (02) :109-&

[3] TUNGSTEN DEPOSITION ON POROUS SILICON FOR FORMATION OF BURIED CONDUCTORS IN SINGLE-CRYSTAL SILICON [J].

TSAO, SS ;

BLEWER, RS ;

TSAO, JY .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1986, 49 (07) :403-405

[4]

TSAO SS, 1988, IN PRESS MAT RES SOC, V107

[5] STUDY OF INJECTION TYPE IPOS SCHEME [J].

UNAGAMI, T ;

KATO, K .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1977, 16 (09) :1635-1640