THE EFFICIENCY AND RADIATIVE LIFETIME CONCENTRATION DEPENDENCES FOR THE DIRECT BAND-GAP GAAS-LIKE SEMICONDUCTORS

被引：8

作者：

GARBUZOV, DZ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1007/BF01596258

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：326 / 335

页数：10

共 13 条

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