SELF-ANNEALED ION-IMPLANTED N+-P DIODES

被引：17

作者：

CEMBALI, G ^{[1
]}

FINETTI, M ^{[1
]}

MERLI, PG ^{[1
]}

ZIGNANI, F ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV BOLOGNA,INST CHIM,FAC INGN,I-40126 BOLOGNA,ITALY

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1982年 / 40卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1063/1.92925

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：62 / 64

页数：3

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共 4 条

[1] SELF-ANNEALING OF ION-IMPLANTED SILICON - 1ST EXPERIMENTAL RESULTS [J].

CEMBALI, GF ;

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APPLIED PHYSICS LETTERS, 1981, 38 (10) :808-810

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