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LIQUID-PHASE EPITAXIAL-GROWTH OF INGAASSB-GASB AND INGAASSB-ALGAASSB DH WAFERS
被引:31
作者
:
KOBAYASHI, N
论文数:
0
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0
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0
机构:
NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,IBARAKI ELECT COMMUN LABS,TOKAI,IBARAKI 31911,JAPAN
NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,IBARAKI ELECT COMMUN LABS,TOKAI,IBARAKI 31911,JAPAN
KOBAYASHI, N
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HORIKOSHI, Y
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NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,IBARAKI ELECT COMMUN LABS,TOKAI,IBARAKI 31911,JAPAN
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HORIKOSHI, Y
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UEMURA, C
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NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,IBARAKI ELECT COMMUN LABS,TOKAI,IBARAKI 31911,JAPAN
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UEMURA, C
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机构
:
[1]
NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,IBARAKI ELECT COMMUN LABS,TOKAI,IBARAKI 31911,JAPAN
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1979年
/ 18卷
/ 11期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.18.2169
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
[No abstract available]
引用
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页码:2169 / 2170
页数:2
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SERAPHIN BO, 1967, SEMICONDUCTORS SEMIM, V3
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