VERY-HIGH-PERFORMANCE HIGHLY STRAINED GA0.23IN0.77AS CHANNEL MODFETS

被引：4

作者：

CHOUGH, KB

CHANG, TY

FEUER, MD

LALEVIC, B

机构：

[1] AT&T BELL LABS,HOLMDEL,NJ 07733

[2] RUTGERS STATE UNIV,DEPT ELECT ENGN,PISCATAWAY,NJ 08854

来源：

关键词：

Semiconducting Gallium Compounds - Semiconducting Indium Phosphide;

D O I：

10.1109/16.158735

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：2708 / 2709

页数：2