1-F NOISE IN GATE-CONTROLLED IMPLANTED RESISTORS

被引：4

作者：

AMBERIADIS, K ^{[1
]}

VANDERZIEL, A ^{[1
]}

RUCKER, LM ^{[1
]}

机构：

[1] BELL TEL LABS INC,READING,PA 19604

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1981年 / 52卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1063/1.328663

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：6989 / 6990

页数：2

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共 4 条

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