CHANNEL SHORTENING IN MOS TRANSISTORS DURING JUNCTION WALK-OUT

被引：17

作者：

NEUGEBAU.CA

BURGESS, JF

JOYNSON, RE

MUNDY, JL

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1653921

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：287 / &

共 7 条

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