STATISTICALLY SCREENED IMPURITY SCATTERING IN MODULATION-DOPED STRUCTURES

被引：14

作者：

RIDLEY, BK

机构：

[1] Univ of Essex, Colchester, Engl, Univ of Essex, Colchester, Engl

来源：

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 1988年 / 3卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1088/0268-1242/3/2/006

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

ELECTRONS

引用

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页数：5

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