VACUUM EVAPORATED SILICON LAYERS FREE FROM STACKING FAULTS

被引：13

作者：

BOOKER, GR

UNVALA, BA

机构：

来源：

PHILOSOPHICAL MAGAZINE | 1963年 / 8卷 / 93期

关键词：

D O I：

10.1080/14786436308207323

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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页码：1597 / &

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共 5 条

[1] BOOKER GR, 1963, JUL EL MICR C
[2] HAASE O, 1962, 1961 AIME MET SOC C, V15, P159
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