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EPITAXIAL-GROWTH OF CDTE BY A CLOSE-SPACED TECHNIQUE
被引:28
作者
:
SARAIE, J
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SARAIE, J
TANAKA, T
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TANAKA, T
AKIYAMA, M
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AKIYAMA, M
机构
:
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1972年
/ 11卷
/ 11期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.11.1758
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:1758 / &
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TRANSACTIONS OF THE FARADAY SOCIETY,
1963,
59
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JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1963,
110
(11)
: 1165
-
1167
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ROBINSON PH, 1963, RCA REV, V24, P574
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NICOLL, FH
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1963,
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: 1165
-
1167
[3]
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