ANNEALING OF QUENCHED-IN DEFECTS IN GE CRYSTAL DISLOCATION DENSITY 104-105 ETCH-PITS/CM(

被引：3

作者：

HIRAKI, A

SUITA, T

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JPSJ.17.408

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：408 / &

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共 5 条

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