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ELECTRIC DIPOLE SCATTERING IN NONPOLAR SEMICONDUCTORS
被引:13
作者
:
APPEL, J
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APPEL, J
TEUTSCH, WB
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TEUTSCH, WB
机构
:
来源
:
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS
|
1962年
/ 23卷
/ 11期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0022-3697(62)90230-5
中图分类号
:
O6 [化学];
学科分类号
:
0703 ;
摘要
:
引用
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页码:1521 / &
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共 2 条
[1]
CHEMICAL INTERACTIONS AMONG DEFECTS IN GERMANIUM AND SILICON
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MORIN, FJ
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MORIN, FJ
[J].
BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL,
1956,
35
(03):
: 535
-
636
[2]
TEUTSCH WB, 1961, B AM PHYS SOC 2, V6, P137
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共 2 条
[1]
CHEMICAL INTERACTIONS AMONG DEFECTS IN GERMANIUM AND SILICON
REISS, H
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BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL,
1956,
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