AL-GA DISORDER IN ALXGA1-XAS ALLOYS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：46

作者：

MILLER, RC

TSANG, WT

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1981年 / 39卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1063/1.92712

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：334 / 335

页数：2

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