PAC STUDIES OF ION-IMPLANTED SILICON

被引：12

作者：

FORKEL, D

MEYER, F

WITTHUHN, W

WOLF, H

DEICHER, M

UHRMACHER, M

机构：

[1] UNIV CONSTANCE,INST PHYS,D-7750 CONSTANCE,FED REP GER

[2] UNIV GOTTINGEN,INST PHYS,D-3400 GOTTINGEN,FED REP GER

来源：

HYPERFINE INTERACTIONS | 1987年 / 35卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

10.1007/BF02394483

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学]; O56 [分子物理学、原子物理学];

学科分类号：

070203 ; 070304 ; 081704 ; 1406 ;

摘要：

引用

页码：715 / 718

页数：4

共 7 条

[1]

BOURGOIN J, 1981, POINT DEFECTS SEMICO, V22, P269

[2]

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[3]

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[4]

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[5]

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Sze S. M., 1981, PHYSICS SEMICONDUCTO, P373

WOLF, H ;

FORKEL, D ;

IWATSCHENKOBORHO, M ;

MALZER, S ;

RENN, M ;

WITTHUHN, W .

HYPERFINE INTERACTIONS, 1987, 35 (1-4) :723-727