A 1024-BYTE ECL RANDOM-ACCESS MEMORY USING A COMPLEMENTARY TRANSISTOR SWITCH (CTS) CELL

被引：2

作者：

DORLER, JA

MOSLEY, JM

RITTER, GA

SEEGER, RO

STRUK, JR

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1147/rd.252.0126

中图分类号：

TP3 [计算技术、计算机技术];

学科分类号：

0812 ;

摘要：

引用

页码：126 / 134

页数：9

共 7 条

BLUMBERG, RJ ;

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