RADIATION EFFECTS ON SILICON MESFET DEVICES AND CIRCUITS

被引：4

作者：

SHEDD, WM

KIM, Y

DARLEY, HM

HOUSTON, IW

机构：

[1] USN,CTR WEAP SUPPORT,CRANE,IN 47522

[2] TEXAS INSTRUMENTS INC,CENT RES LABS,DALLAS,TX 75265

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1981.4335732

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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