USE OF SI3N4 FOR GAAS SURFACE PASSIVATION - ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND APPLICATIONS TO ENHANCEMENT-TYPE MISFITS

被引：2

作者：

BAYRAKTAROGLU, B ^{[1
]}

THEIS, WM ^{[1
]}

SCHUERMEYER, FL ^{[1
]}

机构：

[1] USAF,AVION LAB,WRIGHT PATTERSON AFB,OH 45433

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1979.19772

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：1853 / 1854

页数：2