COMPARISON OF AMPLIFIER GAIN ENHANCEMENT TECHNIQUES FOR GAAS-MESFET ANALOG INTEGRATED-CIRCUITS

被引：18

作者：

LARSON, LE

TEMES, GC

LAW, S

机构：

[1] UNIV CALIF LOS ANGELES,DEPT ELECT ENGN,LOS ANGELES,CA 90024

[2] XEROX CORP,CTR MICROELECTR,EL SEGUNDO,CA 90245

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19860780

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1138 / 1139

页数：2

共 5 条

CAMACHOPENALOSA, C ;

AITCHISON, CS .

[2]

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