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INFLUENCE OF THE TEMPERATURE OF IMPLANTATION ON THE MORPHOLOGY OF DEFECTS IN MEV IMPLANTED GAAS
被引：3
作者：
BRAUNSTEIN, G
CHEN, S
LEE, ST
RAJESWARAN, G
机构：
来源：
ION BEAM PROCESSING OF ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS
|
1989年
/
147卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-147-191
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
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页码：191 / 196
页数：6
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