ANNEALING BEHAVIOUR OF PROTON-IRRADIATED MOS CAPACITORS

被引：4

作者：

CARD, HC

KAO, KC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19700518

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：749 / &

共 12 条

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