ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF GE-GAAS AND GE-SI P-N HETEROJUNCTIONS

被引：3

作者：

RIBEN, AR

DONNELLY, JP

FEUCHT, DL

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1965年 / ED12卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1965.15600

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：511 / &

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共 2 条

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