N-CHANNEL MOSFETS WITH WSI2 GATE

被引：5

作者：

MOHAMMADI, F ^{[1
]}

SARASWAT, KC ^{[1
]}

机构：

[1] STANFORD UNIV,INTEGRATED CIRCUITS LAB,STANFORD,CA 94305

来源：

ELECTRON DEVICE LETTERS | 1981年 / 2卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1981.25326

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：24 / 25

页数：2

共 9 条

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