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50-110 GHZ GUNN-DIODES USING MOLECULAR-BEAM EPITAXY
被引：7
作者：
HAYDL, WH
SMITH, RS
BOSCH, R
机构：
来源：
ELECTRON DEVICE LETTERS
|
1980年
/
1卷
/
10期
关键词：
D O I：
10.1109/EDL.1980.25296
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：224 / 226
页数：3
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