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AMORPHOUS-SILICON FET WITH SCHOTTKY CONTACTS
被引：2
作者：
AST, DG
[1
]
机构：
[1] HEWLETT PACKARD CO,PALO ALTO,CA 94304
关键词：
D O I：
10.1109/T-ED.1981.20587
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：1257 / 1258
页数：2
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