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GROWTH OF CRYSTALLINE SILICON, MICROCRYSTALLINE AND EPITAXIAL AT LOW SUBSTRATE-TEMPERATURE
被引:5
作者
:
TANABE, H
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0
TANABE, H
AZUMA, M
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AZUMA, M
UEMATSU, T
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UEMATSU, T
SHIRAI, H
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SHIRAI, H
HANNA, J
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HANNA, J
SHIMIZU, I
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SHIMIZU, I
机构
:
来源
:
AMORPHOUS SILICON TECHNOLOGY - 1989
|
1989年
/ 149卷
关键词
:
D O I
:
10.1557/PROC-149-17
中图分类号
:
O64 [物理化学(理论化学)、化学物理学];
学科分类号
:
070304 ;
081704 ;
摘要
:
引用
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页码:17 / 22
页数:6
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