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SINGLE THERMAL SCAN DLTS METHOD
被引:5
作者
:
IKEDA, K
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
IKEDA, K
KAWAKAMI, T
论文数:
0
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0
h-index:
0
KAWAKAMI, T
机构
:
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1981年
/ 20卷
/ 08期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.20.1589
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
收藏
页码:1589 / 1590
页数:2
相关论文
共 2 条
[1]
DEEP-LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY - NEW METHOD TO CHARACTERIZE TRAPS IN SEMICONDUCTORS
[J].
LANG, DV
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974
BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974
LANG, DV
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1974,
45
(07)
:3023
-3032
[2]
YAMAZAKI K, 1979, JPN J APPL PHYS, V18, P13
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共 2 条
[1]
DEEP-LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY - NEW METHOD TO CHARACTERIZE TRAPS IN SEMICONDUCTORS
[J].
LANG, DV
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974
BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974
LANG, DV
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1974,
45
(07)
:3023
-3032
[2]
YAMAZAKI K, 1979, JPN J APPL PHYS, V18, P13
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